原理：在傳統(tǒng)的電穿孔技術(shù)的基礎(chǔ)上，通過新型電轉(zhuǎn)程序和優(yōu)化的電轉(zhuǎn)參數(shù)，實現(xiàn)不依賴于特殊的轉(zhuǎn)染試劑或病毒載體，方波技術(shù)直接將外源基因?qū)氲皆毎鞔毎?、離體的組織或器官、或活體動物的組織中；指數(shù)衰減波技術(shù)則廣泛用于細菌、酵母、植物細胞的轉(zhuǎn)化。

　　特點：預(yù)存、導(dǎo)入protocol儀器內(nèi)預(yù)存常規(guī)實驗細胞的protocol，方便用戶的實驗操作；并可通過電腦控制實現(xiàn)BTX專業(yè)protocol庫的下載，存儲到儀器內(nèi)部進行調(diào)用。

　　雙波形電穿孔系統(tǒng)，任一波形調(diào)用，不再是簡單的疊加，同一儀器內(nèi)，突破方波、指數(shù)衰減波的相互干擾，實現(xiàn)方波、指數(shù)衰減波的整合。

　　測量電阻值：電阻值的測量是電擊過程中理化環(huán)境的指標(biāo)，細胞轉(zhuǎn)化、轉(zhuǎn)染，指示緩沖液離子濃度合適，避免爆杯、細胞擊穿；活體電擊，指示實驗部位的理化特征，保證實驗重復(fù)性。

　　安全性能：電弧淬滅功能，使由電弧引起的損害降至；電阻值測量，警示使用過程中對儀器的外部損傷；短路保護，避免脈沖發(fā)生器遇到短路時被損壞。

      兼容性

　　BTX各種電穿孔電極，BTXMOS96孔板電穿孔系統(tǒng)，腳踏開關(guān)，電腦控制。

　　l產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于體外電極杯/96微孔板，活體體內(nèi)，子宮內(nèi)胚胎、卵內(nèi)胚胎和貼壁細胞。

　　lGeminiX2電穿孔儀將方波和指數(shù)衰減波結(jié)合。

　　l配合BTX的各種專業(yè)電極，輕松應(yīng)對各種電穿孔實驗需求。

　　l懸浮細胞放置于電極杯或96微孔板中完成電穿孔。

　　l活體體內(nèi)/離體、子宮內(nèi)胚胎、貼壁細胞可通過BTX專業(yè)電極完成電穿孔實驗。

　　lGeminiX2配置腳踏板開關(guān)和電腦操控，且內(nèi)置常規(guī)實驗參數(shù)。

　　lProtocol預(yù)存和下載功能，為您提供佳實驗優(yōu)化方案，實驗品質(zhì)控制和故障排除。

　　1.原理：在傳統(tǒng)的電穿孔技術(shù)的基礎(chǔ)上，通過新型電轉(zhuǎn)程序和優(yōu)化的電轉(zhuǎn)參數(shù)，實現(xiàn)不依賴于特殊的轉(zhuǎn)染試劑或病毒載體，方波技術(shù)直接將外源基因?qū)氲皆毎?、傳代細胞、離體的組織或器官、或活體動物的組織中；指數(shù)衰減波技術(shù)則廣泛用于細菌、酵母、植物細胞的轉(zhuǎn)化。

　　2.技術(shù)參數(shù)

　　2.1預(yù)存、導(dǎo)入protocol:儀器內(nèi)預(yù)存常規(guī)實驗細胞的protocol，方便用戶的實驗操作；并可通過電腦控制實現(xiàn)BTX專業(yè)protocol庫的下載，存儲到儀器內(nèi)部進行調(diào)用

　　2.2雙波形電穿孔系統(tǒng)：雙波形電穿孔系統(tǒng)，任一波形調(diào)用，不再是簡單的疊加，同一儀器內(nèi)，突破方波、指數(shù)衰減波的相互干擾，實現(xiàn)方波、指數(shù)衰減波的整合。

　　2.3測量電阻值:電阻值的測量是電擊過程中理化環(huán)境的指標(biāo)，細胞轉(zhuǎn)化、轉(zhuǎn)染，指示緩沖液離子濃度合適，避免爆杯、細胞擊穿；活體電擊，指示實驗部位的理化特征，保證實驗重復(fù)性

　　2.4安全性能:電弧淬滅功能，使由電弧引起的損害降至；電阻值測量，警示使用過程中對儀器的外部損傷；短路保護，避免脈沖發(fā)生器遇到短路時被損

　　2.5不依賴于特殊的轉(zhuǎn)染試劑或病毒載體，方波技術(shù)直接將外源基因?qū)氲皆毎?、傳代細胞、離體的組織或器官、或活體動物的組織中；指數(shù)衰減波技術(shù)則廣泛用于細菌、酵母、植物細胞的轉(zhuǎn)化。

　　2.6可選配各種專業(yè)電極，腳踏開關(guān)，并可通過電腦控制。同時可選配BTXMOS96孔板高通量電穿孔系統(tǒng)，對96孔微孔板同時進行轉(zhuǎn)染。

　　2.7用戶界面：高分辨率觸摸屏，簡單快捷。

　　2.8方波

　　2.8.1電壓：LV：5-500V/1V增量；HV：505V-3000V/5V增量；

　　2.8.2脈沖時間:LV：10μs-999μs/1μs增量，1ms-999ms/1ms增量；HV：10μs-600μs/1μs增量；

　　2.8.3脈沖次數(shù):單樣本1-99個；多樣本（HTplatehandlermode）1-10個，多120個樣本；

　　2.8.4脈沖間隔時間：0.1-10s；

　　2.8.5電容:LV：3775μF；HV：85μF；

　　2.9指數(shù)衰減波；

　　2.9.1電壓:LV：5-500V/1V增量；HV：505V-3000V/5V增量；

　　2.9.2脈沖時間:LV：1ms-5.158s;HV：0.5ms-133.875ms；

　　2.9.3脈沖次數(shù):1-12次（電阻＜100Ω）;1-24次（電阻＞100Ω），脈沖間隔5-30s；

　　2.9.4電容:LV：25-3275μF/25μF增量；HV：10，25，35，50，60，75，85μF；

　　2.9.5電阻:LV：25-1575Ω/25Ω增量；HV：50-1575Ω/25Ω增量；